STU4N62K3技术参数详情：
STU4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于620V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在导通期间的能量损耗显著降低。
该MOSFET在25°C壳温下可承受3.8A的连续漏极电流，最大功率耗散为70W。其开关性能通过仅22nC的最大栅极电荷（Qg）和550pF的输入电容（Ciss）得到优化，有利于实现高效率和高频开关操作。器件采用通孔式I-PAK封装，最高结温为150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和良好的散热性能。
- 型号:STU4N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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