STU5N52K3技术参数详情：
STU5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3系列。该器件采用通孔I-PAK封装，核心电气参数包括525V的漏源电压（Vdss）以及在壳温下4.4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的芯片设计，实现了较低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这直接有助于降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为离线式开关电源、LED驱动及各类功率控制电路中主开关或同步整流元件的理想选择之一。
- 型号:STU5N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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