STU5N80K5技术参数详情：
STU5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括800V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）额定值，为离线电源设计提供了坚实的电压基础。
该MOSFET在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）表现优异，同时其极低的栅极电荷（Qg，最大5nC）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些电气特性使其在提升系统效率方面具有显著优势。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗60W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源解决方案。
- 制造商产品型号：STU5N80K5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh K5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：177pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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