STU5N95K5技术参数详情：
STU5N95K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件专为高电压、高效率的开关应用而设计，其核心优势在于结合了950V的高漏源电压（Vdss）与优化的动态特性。
其技术参数突出表现为低损耗：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.5Ω @ 1.5A，同时栅极电荷（Qg）典型值低至12.5nC。这一组合确保了在导通和开关过程中均能实现优异的能效。器件采用I-PAK通孔封装，额定连续漏极电流（Id）为3.5A（Tc），最大功率耗散70W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性电源系统提供了坚实的基础。
- 制造商产品型号：STU5N95K5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh K5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：950V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：220pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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