STU60N3LH5

STU60N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，其R_DS(on)最大值仅为8.4毫欧（@10V，24A），连续漏极电流（I_D）在壳温条件下可达48A，能显著降低功率损耗。

此外，器件具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Q_g）为8.8nC，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。30V的漏源电压（V_DSS）和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，使其能够稳定适用于多种中低压、高功率密度的应用环境。

• 型号:STU60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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