STU60N55F3技术参数详情：
STU60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其55V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻，在典型工作条件下最大值仅为8.5毫欧。
其电气参数经过优化，栅极电荷和输入电容特性确保了良好的开关性能，适用于高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了可靠的操作窗口。这些特性使其成为中大功率开关电源、电机驱动和功率转换电路中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STU60N55F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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