STU6NF10技术参数详情：
STU6NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于100V电压等级的中等功率应用，在25°C壳温下可连续通过6A电流，其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。
其核心卖点包括：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至250毫欧（@3A），能显著降低通态损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，输入电容（Ciss）最大值为280pF，这共同确保了快速、高效的开关动作，有助于提升系统频率并降低驱动损耗。器件采用通孔式I-PAK封装，工作结温范围宽达-65°C至175°C，功率处理能力达30W，为设计提供了高可靠性与灵活性。
- 型号:STU6NF10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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