STU75N3LLH6技术参数详情：
STU75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，在30V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达75A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为5.9毫欧（@10V，37.5A），这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。
其栅极驱动特性优异，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，并与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，减少开关损耗。该器件设计工作温度范围宽广（-55°C ~ 175°C TJ），具备60W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于要求高电流处理能力的功率开关场景。
- 型号:STU75N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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