STU7LN80K5

STU7LN80K5是意法半导体推出的一款N沟道800V/5A功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，专为要求高电压耐受能力和高效开关性能的应用而设计。

其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与1.15欧姆（@10V， 2.5A）的低导通电阻（Rds(on)）的结合，有效降低了导通损耗。同时，12nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）和270pF（@100V）的输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并提供85W（Tc）的功率处理能力，保障了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:STU7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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