STP4N150技术参数详情：
STP4N150是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括1500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下4A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其技术优势体现在较低的导通损耗与快速的开关性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为7欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC，这有助于提升系统效率并降低驱动需求。该器件最大功率耗散为160W，最高工作结温达150°C，适用于要求高耐压与可靠性的工业级功率电子应用。
- 型号:STP4N150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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