STI57N65M5

STI57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为I2PAK（TO-262）。该器件核心优势在于其优异的开关性能与功率处理能力平衡，其650V的漏源电压和42A的连续漏极电流为高压大电流应用提供了坚实基础。

其技术亮点表现为极低的导通电阻（63mΩ @10V, 21A）与栅极电荷（98nC @10V），这一组合能有效降低导通损耗与开关损耗，从而提升系统整体能效。器件支持宽泛的栅极驱动电压（±25V），并在-55°C至150°C的结温范围内保持稳定工作，适用于对可靠性和效率有严苛要求的工业环境。

• 型号:STI57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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