STU7N60M2技术参数详情：
STU7N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），采用先进的平面技术实现了低至950毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。
其设计注重动态性能与可靠性，最大栅极电荷（Qg）仅为8.8nC，有利于实现高速开关并简化驱动设计。器件采用通孔式I-PAK封装，最大功率耗散达60W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业控制等领域中高效功率转换方案的理想选择。
- 型号:STU7N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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