STU8NM60ND技术参数详情：
STU8NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（VDSS）和7A的连续漏极电流（ID），提供了坚固的电气特性以应对严苛的功率环境。
其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为700毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（最大22nC）和输入电容优化了开关速度，提升了高频应用的效率。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗70W，最高工作结温150°C，确保了良好的热管理和长期可靠性。
- 制造商产品型号：STU8NM60ND
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：FDmesh II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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