STULED623技术参数详情：
STULED623是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）额定值与3A的连续漏极电流（Id）能力，为离线电源应用提供了坚实的基础耐压等级和电流处理能力。
其电气参数经过优化，在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）表现良好，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得它在开关应用中具备快速的开关速度和较低的驱动需求，有利于提升系统效率并简化驱动电路设计。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在严苛环境下的稳定运行。
- 制造商产品型号：STULED623
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 3A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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