STP16NS25FP技术参数详情：
STP16NS25FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其250V的漏源击穿电压（Vdss）与16A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压、中功率应用提供了坚实的基础。
其技术参数经过优化，旨在降低系统损耗。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为280毫欧，有效减少了导通状态下的功率浪费。同时，栅极电荷（Qg）被控制在83nC以内，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升整体能效。器件支持-65°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STP16NS25FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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