STULED656技术参数详情：
STULED656是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的价值：650V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压保障，而6A的连续漏极电流（Id）与70W的功率耗散能力则确保了其可处理相当的功率水平。
该器件的开关性能通过关键参数得以体现，包括在10V Vgs下优化的导通电阻、适中的栅极电荷以及高至150°C的工作结温。这些特性共同使其适合于要求高可靠性和高效能的功率转换场景，如开关电源和工业控制电源模块。
- 型号:STULED656
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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