STV200N55F3技术参数详情：
STV200N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用10-PowerSO表面贴装封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200A的连续电流，其额定漏源电压为55V，核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 10V, 75A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为100nC，有助于实现高效的开关操作，减少驱动损耗。该器件支持高达±20V的栅源电压，并能在-55°C至175°C的宽结温范围内工作，最大功率耗散为300W，适用于要求高功率密度和高可靠性的应用环境。
- 型号:STV200N55F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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