STW11NK90Z

STW11NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至980mΩ的导通电阻（R_DS(on)），这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗，提升能效。

在电气参数上，它在25°C壳温下可承受9.2A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Q_g）为115nC，有助于实现快速的开关切换并优化驱动设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗200W，确保了在 demanding 环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高压开关应用的理想选择。

• 型号:STW11NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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