STGB8NC60KDT4技术参数详情：
STGB8NC60KDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、15A IGBT，集成快速恢复二极管，采用D2PAK表面贴装封装。该器件设计用于提供高效率的功率开关解决方案。
其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.75V，有效降低了导通损耗。同时，其具备快速的开关特性（典型开关能量为55J/85J）和低至19nC的栅极电荷，有助于实现高频运行并降低整体开关损耗，最大功耗为65W。
该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的应用场景，如开关电源、电机驱动和工业电源系统。
- 型号:STGB8NC60KDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 15A 65W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:65 W
- 开关能量:55J（导通），85J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:19 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns
- 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):23.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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