STW12NK90Z

STW12NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至880毫欧（@ 5.5A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高电压应用中能显著降低导通损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，最大栅极电荷（Qg）为152nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件在壳温条件下支持11A的连续漏极电流和230W的最大功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高端照明系统等高压功率转换设计的理想选择。

• 型号:STW12NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:880 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:152 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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