STF35N65M5

STF35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与27A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为98毫欧 @ 13.5A，能有效降低传导损耗。同时，83nC @ 10V的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。这些参数共同指向了其在提升系统效率与功率密度方面的价值，适用于开关电源、PFC电路等对性能要求严苛的领域。

• 型号:STF35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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