STW13NK100Z

STW13NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高压、高效率应用而设计，其核心电气参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术实现了低导通电阻（典型700mΩ @ 10V）与高耐压的优化组合，这有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于提升开关速度并减少开关损耗。采用TO-247-3封装，确保了出色的散热性能，使其适用于高功率密度设计。

• 型号:STW13NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW13NK100Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。