STW13NM60N技术参数详情：
STW13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在导通特性上，其在10V栅极驱动下具有低至360毫欧（最大值）的导通电阻，有效降低了功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，这有助于实现高速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为工业级开关电源和电机驱动应用中追求高效率与高可靠性的理想选择。
- 型号:STW13NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW13NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
