STW14NK60Z技术参数详情：
STW14NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与13.5A的连续漏极电流（Tc条件下），最大功率耗散达160W，适用于中高功率应用。
其技术亮点在于通过优化的设计实现了低导通电阻与良好的开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关速度并降低驱动损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及UPS系统中高效功率转换的理想选择。
- 型号:STW14NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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