STW14NM50FD技术参数详情：
STW14NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的耐压和载流基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至400毫欧（@6A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，典型值12nC）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为追求高效率的开关电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择。
- 型号:STW14NM50FD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW14NM50FD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
