STW48N60M2-4技术参数详情：
STW48N60M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4L封装。该器件设计用于高压、高电流应用，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和42A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其关键性能优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值70mΩ @ 10V, 21A）与优化的栅极电荷（Qg最大值70nC @ 10V），这共同实现了低传导损耗与低开关损耗的优异平衡。高达150°C的工作结温（TJ）和300W的功率耗散能力，确保了其在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性。
- 型号:STW48N60M2-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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