STW15NM60N技术参数详情：
STW15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装和先进的MDmesh II技术。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与14A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@7A，10V），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及照明系统效率的理想选择。
- 型号:STW15NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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