STW160N75F3技术参数详情：
STW160N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件隶属于STripFET产品系列，其核心优势在于75V漏源电压（Vdss）下具备120A的高连续电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值4mΩ @ 60A, 10V），能显著降低功率应用中的传导损耗。
此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为85nC，结合其330W（Tc）的高功率耗散能力与-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在开关电源、电机驱动等高要求场景中兼具高效的开关性能和出色的热可靠性。这些特性使其成为工业电源和动力系统设计中追求高效率与高功率密度的理想选择。
- 型号:STW160N75F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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