TRD136DT4技术参数详情：
TRD136DT4是ST意法半导体生产的一款高压NPN功率双极性晶体管，采用表面贴装DPak（TO-252）封装。其核心电气参数包括400V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流，能够胜任高压开关应用。
该器件在2A电流下的最小直流电流增益（hFE）为10，并在500mA基极电流、2A集电极电流条件下具有仅1V的低饱和压降，这有助于降低导通损耗。其最大功耗为20W，最高结温为150°C，结合封装散热能力，为电源转换和电机驱动等应用提供了可靠的性能基础。
- 型号:TRD136DT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 400V 3A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 500mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 2A，5V
- 功率 - 最大值:20 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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