STW16NK60Z技术参数详情：
STW16NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为600V漏源电压和14A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。
其技术亮点在于通过优化的内部结构实现了较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷特性经过平衡，有利于实现较快的开关速度并控制驱动损耗。该器件支持高达150°C的结温工作，结合封装的热性能，确保了在功率转换和电机控制等应用中的稳定性和耐用性。
- 型号:STW16NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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