STW18N60M2

STW18N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），专为高压、中电流的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的导通电阻与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为280毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在21.5nC，这共同保障了较低的导通损耗与开关损耗，有助于提升整体电源转换效率。器件支持高达110W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳健运行。

• 型号:STW18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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