STP22NM60N

STP22NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高效功率开关应用，其核心优势在于平衡了高耐压与低损耗特性。

它提供600V的漏源击穿电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在高压大电流环境下的稳定工作。关键性能指标包括低至220毫欧的导通电阻（Rds(on)）以及仅44nC的栅极电荷（Qg），这共同实现了较低的导通损耗和快速的开关瞬态，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗125W，工作结温范围达-55°C至150°C，具备出色的功率处理和环境适应性。

• 型号:STP22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP22NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。