STW18NK60Z技术参数详情：
STW18NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），能够满足高压大电流应用的需求。
其关键优势在于采用了SuperMESH技术，实现了较低的导通电阻（最大360mΩ @ 8A, 10V），有助于降低传导损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有利于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。器件最大功率耗散为230W（Tc），工作结温范围宽至-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的热可靠性和长期稳定性。
- 型号:STW18NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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