STW19NM50N

STW19NM50N是意法半导体推出的一款采用MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247-3。其核心卖点在于500V的高漏源电压（V_DSS）与14A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上实现了优化平衡，其导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS、7A I_D条件下最大值仅为250mΩ，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G，最大值34nC @10V）和输入电容（C_iss）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为对能效和可靠性有高要求的功率转换应用的理想选择。

• 型号:STW19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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