STW20NM50技术参数详情：
STW20NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）额定值与20A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至250毫欧（@10A），显著降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。结合214W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高结温，确保了器件在高功率密度设计中的可靠运行。
- 型号:STW20NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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