STW20NM50FD

STW20NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧以下，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大53nC）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。器件支持高达150°C的结温，并具备214W的强散热能力，确保了在高功率密度设计中的可靠性与长寿命。

• 型号:STW20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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