STW20NM60FD技术参数详情：
STW20NM60FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至290毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值37nC）和输入电容有利于实现快速开关，提升系统频率与效率。器件支持宽范围工作温度（-65°C ~ 150°C TJ），并具备214W（Tc）的强散热能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STW20NM60FD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW20NM60FD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
