STW21N150K5技术参数详情：
STW21N150K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心特性包括高达1500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚固的电气性能基础。
得益于先进的MDmesh K5技术，它在保持高阻断电压的同时，实现了低至900毫欧（@7A，10V）的导通电阻和仅89nC的栅极电荷。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其在高达446W的功率耗散下仍能高效工作，非常适用于要求高效率和可靠性的工业电源、电机驱动及新能源转换系统。
- 型号:STW21N150K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3145 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW21N150K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
