STW21N65M5

STW21N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大50nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备125W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。

• 型号:STW21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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