PD55003S-E技术参数详情：
PD55003S-E是ST意法半导体生产的一款采用LDMOS技术的射频功率场效应晶体管（FET）。该器件设计用于最高500MHz的高频应用，在12.5V工作电压下可提供3W的射频功率输出和高达17dB的增益，显著简化了驱动级设计。
其坚固的电气特性，包括40V的额定电压和2.5A的额定电流，确保了在高要求应用中的可靠性。芯片采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，优化了散热性能，适用于需要紧凑布局和高效热管理的射频功率放大器电路。
- 型号:PD55003S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:2.5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:3W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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