STW220NF75技术参数详情：
STW220NF75是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心电气参数针对高效功率转换进行了优化，具备75V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗，在10V栅极驱动下典型Rds(on)仅为4.4毫欧，能显著降低导通损耗。同时，430nC的栅极电荷与宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在要求高效率与高可靠性的中压、大电流开关应用中表现出色。
- 型号:STW220NF75
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:430 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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