ULN2075B技术参数详情：
ULN2075B是ST意法半导体生产的一款有源、四通道NPN达林顿晶体管阵列，采用16引脚PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对，每个通道均内置续流二极管，专为简化接口电路和驱动感性负载而优化。
其核心电气参数提供了强大的驱动能力：集电极电流最高可达1.75A，集射极击穿电压为80V，饱和压降在1.5A电流下典型值仅为1.5V。这些特性使其能够直接由逻辑电平（如5V TTL/CMOS）控制，高效开关继电器、螺线管、直流电机及LED显示阵列等负载，最大程度减少外部元件数量。芯片额定功耗为1W，工作温度范围覆盖-20°C至85°C，确保了在工业及消费类应用环境中的稳定性和耐用性。
- 型号:ULN2075B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-PowerDIP（20x7.10）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.75A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 2.25mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-PowerDIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:16-PowerDIP（20x7.10）
- 现在可以订购ULN2075B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
