STW23N80K5技术参数详情：
STW23N80K5是STMicroelectronics推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（VDSS）额定值与低至280mΩ（@8A，10V）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，这得益于其先进的超结技术，旨在显著降低高压应用中的传导损耗。
在25°C壳温下，其连续漏极电流（ID）为16A，最大功耗达190W。优化的动态特性，如33nC的栅极电荷（Qg），有助于实现高效率的快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和10V的标准驱动电压，使其成为要求高可靠性和高效率的工业级电源与电机驱动应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STW23N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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