STW23NM50N技术参数详情：
STW23NM50N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于500V的高漏源电压与低至190毫欧（最大值）的导通电阻的出色结合，在17A的连续电流额定值下，能显著降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备优化的动态特性，最大栅极电荷仅为45nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其设计支持高达150°C的结温工作，最大功耗125W，确保了在严苛环境下的可靠性与热稳定性，适用于高效率电源和功率转换应用。
- 型号:STW23NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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