STW23NM60N

STW23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和19A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至180毫欧，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件最高结温为150°C，最大功率耗散达150W，确保了在高温高功率环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STW23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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