STL150N3LLH6

STL150N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerFlat（5x6）表面贴装封装。该器件隶属于STripFET VI系列，应用DeepGATE技术，在30V的漏源电压（Vdss）下，能够持续处理高达150A（Tc）的电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，最大值仅为2.4毫欧（@10V Vgs），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（40nC @4.5V）有利于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为空间受限且对效率要求极高的功率转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STL150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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