STW240N10F7技术参数详情：
STW240N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-247封装，核心电气规格包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达180A的连续漏极电流（Id）能力，为高功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的功率损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至3毫欧（@90A），显著降低了传导过程中的能量损失。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值160nC @10V）与输入电容参数，确保了快速高效的开关性能，有助于提升系统整体效率与功率密度。器件结温工作范围覆盖-55°C至175°C，具备良好的环境适应性。
- 型号:STW240N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11550 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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