STW24N60DM2

STW24N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。器件具备极低的导通电阻（Rds(on)），有助于最小化导通损耗；同时，优化的低栅极电荷（Qg）特性确保了快速、高效的开关行为，从而降低开关损耗并允许更高的工作频率。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择。

该MOSFET适用于广泛的工业与消费类电源应用，如开关电源、电机驱动、PFC电路及逆变器系统，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）也保证了其在苛刻环境下的可靠运行。

• 型号:STW24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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