STW6N95K5

STW6N95K5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的低导通电阻特性，这使其能够在高压应用中有效降低传导损耗，提升系统效率。

此外，器件具备极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）和输入电容（Ciss），这直接转化为快速的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关电源设计。其采用坚固的TO-247-3封装，支持高达150°C的结温工作，确保了在严苛环境下的功率处理能力和长期可靠性，是工业电源、电机驱动和能源转换系统中高效功率开关的理想解决方案。

• 型号:STW6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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