STW24NK55Z技术参数详情：
STW24NK55Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为550V漏源电压（Vdss）和23A连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其技术优势在于通过优化的设计实现了低导通电阻（220mΩ @ 11.5A，10V）与适中栅极电荷（130nC @ 10V）的良好平衡，这有助于同时降低传导损耗和开关损耗，提升系统效率。高达285W的功率耗散能力和150°C的最大工作结温，确保了其在高压、高功率应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STW24NK55Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 11.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4397.5 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:285W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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